脉冲激光方法制备的Ge纳米晶体的光探测特性

【摘要】：本文应用脉冲激光沉积方法(PLD)及原位600℃快速退火30分钟在 Si(100)衬底上生长Ge纳米晶体,通过原子力显微镜观察了生长的Ge纳米晶体的表面形貌。应用光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了Ge纳米晶体的发光和光探测性能。发光谱上在0．8 eV附近出现很强发光峰,并且随Ge纳米晶体尺寸的减小发光峰出现显著的蓝移,表明Ge纳米晶体具有很强的量子限域效应:Ge量子点的光电流谱和光响应谱中相应峰值波长达到1．65μm,响应率为56mA／W, 1．55μm外量子效率大约为15％。PLD方法生长的Ge纳米晶体薄膜适用于1．3～ 1．55μm中红外探测。

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10	崔华楠;石建英;戚小莺;;Zn_xCd_(1-x)S的可控合成及其光学性质的研究[J];中山大学学报(自然科学版);2011年04期
11	;[J];;年期
12	;[J];;年期
13	;[J];;年期
14	;[J];;年期
15	;[J];;年期
16	;[J];;年期
17	;[J];;年期
18	;[J];;年期
19	;[J];;年期
20	;[J];;年期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	马锡英;施维林;;脉冲激光方法制备的Ge纳米晶体的光探测特性[A];全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议论文集[C];2005年
2	白云帆;任山;刘欢;许宁生;邓少芝;;Zn薄膜表面的ZnO纳米结构的变化规律研究[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
3	左则文;闾锦;濮林;施毅;韩平;张荣;郑有炓;;氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的淀积与发光特性[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
4	顾刚;丁维平;程光煦;章建荣;王敦辉;都有为;;束缚于13X分子筛的C_(60)光致发光研究[A];第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1995年
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6	揭建胜;吴气虹;韩新海;于琳;王冠中;方容川;;激光脉冲沉积(PLD)ZnO薄膜光热偏转及光致发光谱的研究[A];第九届全国发光学术会议摘要集[C];2001年
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10	吴闰生;半导体纳米点镶嵌在不同介电基体中的制备及发光特性的研究[D];江西师范大学;2009年

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前1条

1	记者王海蕴;我国纳米材料研究取得世界性突破[N];中国高新技术产业导报;2008年

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