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脉冲激光方法制备的Ge纳米晶体的光探测特性

马锡英  施维林  
【摘要】:本文应用脉冲激光沉积方法(PLD)及原位600℃快速退火30分钟在 Si(100)衬底上生长Ge纳米晶体,通过原子力显微镜观察了生长的Ge纳米晶体的表面形貌。应用光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了Ge纳米晶体的发光和光探测性能。发光谱上在0.8 eV附近出现很强发光峰,并且随Ge纳米晶体尺寸的减小发光峰出现显著的蓝移,表明Ge纳米晶体具有很强的量子限域效应:Ge量子点的光电流谱和光响应谱中相应峰值波长达到1.65μm,响应率为56mA/W, 1.55μm外量子效率大约为15%。PLD方法生长的Ge纳米晶体薄膜适用于1.3~ 1.55μm中红外探测。

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