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1.3μm大功率、低Ripple AlGaInAs/InP超辐射发光二极管

张军  常进  周宁  李林松  王定理  黄晓东  刘涛  
【摘要】:采用AlGaInAs/InP材料体系,制做出RWG,弯曲波导结构的高功率,低ripple SLD,结果显示在250mA条件下器件输出功率为19mW,3dB带宽为 30hm左右,ripple0.3dB。

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