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LPCVD in-situ Growth of Silicon Quantum Dots in Si_3N_4

胡淑芬  
【摘要】:正Silicon nanostructures have interesting possible applications in new generation photovoltaic. The fabrication techniques usually involve a high-temperature post-deposition annealing.Here we report on the spontaneous growth of silicon quantum dots in silicon nitride films by low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) using silane and nitrogen as reactant gas sources.

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