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Ag掺杂ZnO纳米带的p型电子结构及边界效应和掺杂位点效应

李妍璐  赵显  樊唯镏  
【摘要】:正纳米带是一种典型的一维纳米材料,其厚度小于其宽度,因此在不同横截面表现出迥异的限域效应和边界效应。本文应用第一性原理方法研究了Ag在单层和双层具有扶手椅边缘的ZnO纳米带中的掺杂效应,重点探讨了纳米带边界和掺杂位点对其p型电子结构的影响规律。计算结果显示,Ag在单层和双层ZnO纳米

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