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不同形貌ZnO的水热合成及其光电性质研究

雷芳  王开学  魏霄  陈接胜  
【摘要】:正ZnO是一种n型半导体,其带隙为3.3-3.6eV,室温下激子束缚能为60meV,其在光电功能器件的应用领域受到广泛的重视。在纳米器件如发光二极管、气体传感和光电池等方面有良好的应用

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