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CTAB-草酸复合软模板诱导的In(OH)_3/In_2O_3微米管控制合成

强金凤  王瑞娟  张金贵  沈明  
【摘要】:正氧化铟是一种禁带宽度较大的n型半导体,具有微纳米结构的材料则因载流子量子限域效应常表现出许多新奇的电学和光学特性,进而在气体传感器、电光调节器、发光二极管等

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