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ICP-AES法测定氮化铝晶体中8种掺杂元素的含量

施洪钧  王利  
【摘要】:正AlN晶体是直接宽带隙半导体,被广泛用于制作紫外LEDs、蓝光-紫外固态LDs、激光器、紫外探测器和高温、高频、高功率电子器件等。在AlN晶格中掺入过渡金属元素使其呈现出铁磁性是科学工作者研究的一个很重要的方向。由于A1N具有很强的晶体场,过渡金属掺入AlN晶格

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