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离子组分对半导体材料Cd_xHg_(1-x)Ga_2S_4能带结构和光学性质的影响

程文旦  黄淑萍  吴东升  蓝尤钊  沈娟  李飞飞  张浩  
【摘要】:正三元缺陷黄铜矿型及其混合阳离子半导体具有高的光敏感性,强的荧光和大的非线性效应,因而在工业技术应用方面具有相当大的前景。特别是,具有直接带隙含Cd和Hg的镓硫化合物CdxHg1-xGa2S4适用于制成光二极管和激光器,同时也可用于制造光检测器,光开关和窄带光滤色器。实验上已经发现当用(Nd:YAG)激光泵浦CdxHg1-xGa2S4晶体时,随着组分x的变化,晶体的相位匹配角和光物理性质也发生了变化。

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