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维度变化导致ZnO纳米带出现金属性

王秀军  陈冠华  
【摘要】:正ZnO是一个典型的具有压电性质的半导体材料。ZnO薄膜已被用于制作传感器、能量转换器及触媒等。最近,Z.L.WANG及其合作者合成了ZnO纳米带,其表面是ZnO的极化面, 从而形成了具有特殊力学性质的螺旋结构。ZnO纳米带典型的宽厚比在10-50纳米之间,其厚度为3-20纳米,因此认为ZnO纳米层和ZnO纳米带具有相似的性质。本文用第一原理密度泛函理论计算ZnO纳米带的电子性质。结果显示,如果以(0001)或(000(?))面作为表

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