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硅纳米晶光学常数对温度的响应研究

林崴  郑玉祥  蔡清元  张冬旭  张荣君  陈良尧  
【摘要】:硅纳米晶(nc-Si)是一种很有应用前景的频率可调谐发光纳米材料,针对其光学性质的研究将有助于理解其发光机制。椭偏测量技术是一种非接触非破坏性的测量手段,被广泛用于材料光学性质的测量。已知退火温度对硅纳米晶的发光效率有很大的影响,表明硅纳米晶对温度有相当的敏感度。用变温椭偏测量技术进行测量,有效介质近似法(EMA)结合洛伦兹色散模型进行拟合,得到不同温度下,直径为3nm的硅纳米晶体在约300-800nm光谱区的光学常数。实验结果表明硅纳米晶在此光谱范围内光学性质随温度发生了变化,这有助于进一步理解硅纳米晶的形成和发光原理,对于采用硅纳米晶材料设计或制作的光电子器件的温度性能表现有一定的参考价值。

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