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HfO_2/SiO_2膜基体系中界面吸收的研究

鲁江涛  
【摘要】:正界面吸收是HfO2/SiO2膜基体系总吸收的重要组成部分,了解界面吸收的分布特征,可以加深对膜基体系中吸收来源和控制方法的认识。通过电场设计的方法,改变了薄膜-基底、膜层之间和薄膜-空气之间界面吸收对HfO2/SiO2膜基体系总吸收的贡献,设计并采用反应电

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