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GaAs基异变量子阱

朱岩  倪海桥  王海莉  贺继方  李密峰  尚向军  牛智川  
【摘要】:研究了GaAs基InGaAs异变缓冲层结构及其分子束外延生长,对利用源炉温度线性变化实现组分线性变化的方法进行了改进,更精确的实现了InGaAs异变缓冲层中In组分的线性渐变,大大降低了InGaAs异变缓冲层中的穿透位错密度。优化了1.3 μm InGaAs异变量子阱材料的生长条件和退火条件,获得了发光波长为1.3μm的高质量InGaAs异变量子阱结构,实现了1.3 μm InGaAs异变量子阱边发射激光器的低阈值室温连续激射。

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