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铁电PMN-PT薄膜热处理及红外性能研究

普朝光  吕励  杨漾  
【摘要】:利用射频磁控溅射法生长了PZT及PMN-PT薄膜,提出了"分级退火"的概念,对PZT及PMN-PT薄膜的低温热处理技术进行了探索,研制出了PZT及PMN-PT薄膜材料样品,并测出了其热释电响应性能。实验表明,PZT及PMN-PT薄膜在550℃及450℃下就能完全晶化成钙钛矿结构,其热释电系数分别达到1-3.2×10-8Ccm-2K-1及2-10×10-9Ccm-2K-1,有望成为解决目前阻碍集成式铁电型非制冷焦平面探测器技术发展的瓶径问题,即铁电薄膜生长的高温与CMOS电路的兼容性问题的潜在可用材料。

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