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PECVD法生长SiO_2薄膜工艺优化

宋平  连洁  高尚  李萍  王晓  吴仕梁  马峥  
【摘要】:SiO2薄膜具有绝热性好、光透过率高、抗腐蚀能力强、良好的介电性质等特点,SiO2薄膜已广泛应用在制作电子器件和集成器件、光学薄膜器件、传感器等诸多领域。采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)方法,在GaAs衬底上制备SiO2非晶薄膜。采用椭偏仪作为主要测量工具,研究了不同生长时间、压力、气体流量比等条件下SiO2薄膜沉积速率、折射率的变化规律。并对SiO2薄膜的生长工艺进行分析,从而得到SiO2薄膜生长的优化条件,使SiO2薄膜的生长工艺更具有实用价值。

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