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1024×1元近红外InGaAs线列焦平面组件

李雪  龚海梅  唐恒敬  刘大福  邵秀梅  危峻  方家熊  
【摘要】:利用分子束外延方法生长的InP/InGaAs/InP双异质结材料,通过台面成型、有效钝化、欧姆接触电极制备等工艺,制作了512×1的背照射InGaAs光敏芯片,光敏芯片响应波段为0.95-1.7m,平均峰值响应率约为0.97A/W。512×1元光敏芯片与512×1元CTIA读出电路通过基板间接倒焊互连后形成5121元近红外InGaAs模块。两个512元模块经过有效元交叠的方式拼接形成1024×1近红外InGaAs线列焦平面,并被封装于带热电致冷器的金属管壳中,室温下组件的响应非均匀性为5.8%,盲元率为0.6%,平均峰值探测率为6.10×1011cmHz1/2W-1。采用热电致冷器可以稳定组件工作温度,在5°C时组件功耗为3.10W。

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