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氩氧比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响

潘志峰  袁一方  李清山  
【摘要】:ZnO是一种宽禁带II-Ⅳ族半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV。因为ZnO具有激子束缚能高(60meV)受激发射阈值低及原料丰富和无毒无害等特点,所以,近年来ZnO已经成为继GaN之后紫外和蓝色发光领域人们关注的又一热点。但是,目前对氧化锌的研究结果大部分还集中在其光学特性方面,而对氧化锌的电学特性的研究进展却相对落后。我们利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C 轴择优取向的ZnO晶体薄膜,由于反应气氛中氩氧比的不同,生长的ZnO薄膜晶体质量也不同,研究了薄膜的结晶状况和导电性能的改变。

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