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高亮度625nm AlGaInP发光二极管

李建军  韩军  邓军  于晓东  林委之  邹德恕  刘莹  沈光地  
【摘要】:发光波长为625nm的AlGaInP发光二极管(LED:Light Emitting Diode)以其体积小、发光效率高和寿命长等优点被广泛应用于信号指示、信息显示和信息传递等领域。为了提高625nm LED 的亮度,本文通过采用AlGaInP多量子阱材料为发光有源区来提高内量子效率,并结合DBR和增透膜等措施来提高LED的光提取效率,得到了20mA下轴向光强为200mcd的LED管芯。

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