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氮化铝薄膜的制备与结构和光学特性研究

梁俊华  刘定权  张风山  刘旭  
【摘要】:氮化铝(AlN)是一种宽禁带直接带隙化合物半导体材料,具有高温稳定性、高化学稳定性、高热导率、高弹性模量和非毒性等优异的物理化学性质,并可从半导体到绝缘体改变其电学性质,因此在微电子学、光电子学和电子封装等方面有着广阔的应用前景。

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