【摘要】:使用介质阻挡放电光谱诊断装置,对常压介质阻挡放电在材料改性过程中的等离子体的光发射谱(OES)原位测量,记录和比较了空气、氮气、氦气和氩气常压介质阻挡放电等离子体发射光谱,分析了N2第二正系跃迁(C3πu→B3πg)的谱线、He的两条明显特征谱线(31P1→21S0和33D→33P)和Ar集中在680-780nm的范围内的原子发射谱线,并运用同一元素谱线的相对强度来诊断电子温度等物理参量,以达到对材料表面改性过程的实时监控。工作的结果对常压介质阻挡放电及其在材料改性中的应用具有重要的意义。
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