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OEIC用HBT材料的MOCVD生长技术研究

江李  林涛  韦欣  王国宏  张广泽  马骁宇  李献杰  
【摘要】:在550℃的低温下,利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在半绝缘InP衬底上生长出InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)材料结构。通过低温生长提高了HBT基区p型掺杂浓度,达到2×1019cm-3;同时结合采用生长中止的方法抑制了基区Zn扩散。利用改变V/III比的方法解决了低温下n型掺杂源SiH4掺入效率下降,n型浓度降低的问题。对生长的材料结构分别进行了X射线双晶衍射,电化学CV和二次离子质谱(SIMS)测试,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求。

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