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GaN的离子辐照效应

周生强  姚淑德  焦升贤  孙长春  孙昌  
【摘要】:首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He~2+,N~+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN的电阻率增大6-8个数量级.在200-400℃左右退火,电阻率变化最大.

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