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分子玻璃光致抗蚀剂研究进展

王力元  
【摘要】:正目前最先进的集成电路加工技术已达到45nm 生产工艺,预计二年内将跨入32nm 技术。在特征尺寸低于50nm 时,传统的化学增幅抗蚀剂的成像表现会遇到一些问题,包括线边缘粗糙度(LER)、图像均匀性和酸扩散控制等,使得抗蚀剂成像表现和分辨率难以满足要求。绝大多数现有的抗蚀剂材料都基于高分子,虽然它们拥有许多有利的特性,如无定形特性、柔性和可加工性等这些成像加

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