一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构

【摘要】：本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI结构,并借助理论分析和二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击穿电压5～10%的同时,漂移区电阻大幅度降低48～52%,而且漂移区尺寸也可缩小10%。进一步研究表明,采用一阶或二阶阶梯漂移区即可达到接近线性漂移区的效果,同时具有工艺容差大、制造时无高温过程、工艺成本低等优点。

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中国期刊全文数据库

前20条

1	李蕾蕾;于宗光;肖志强;周昕杰;;SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究[J];物理学报;2011年09期
2	;[J];;年期
3	;[J];;年期
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18	;[J];;年期
19	;[J];;年期
20	;[J];;年期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	郭宇锋;蹇彤;徐跃;王志功;;一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构[A];2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集[C];2008年
2	郭宇锋;王志功;;阶梯厚度漂移区SOI横向高压器件[A];第十届中国科协年会论文集（四）[C];2008年
3	周乐文;窦文华;安蔚钊;;SOI技术及其抗辐照能力研究[A];第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛论文集（A辑）[C];2011年
4	张兴;王阳元;;低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇[A];信息科学与微电子技术:中国科协第三届青年学术年会论文集[C];1998年
5	冷月华;贾连希;胡挺;杨林;杨华军;;亚微米SOI光波导的模式及偏振特性分析[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（上册）[C];2009年
6	张鹏;章晓文;李斌;陈平;;SDB/SOI双极型晶体管可靠性评价[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年
7	赵凯;高见头;杨波;李宁;于芳;刘忠立;肖志强;洪根深;;CMOS SOI SRAM电路的抗单粒子能力研究[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
8	王茹;张正选;俞文杰;贺威;田浩;陈明;;总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）[C];2007年
9	毕大炜;张正选;张帅;俞文杰;陈明;;用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
10	金琦;李长春;杨勇;刘宏伟;孙克;;小型共面接口压差传感器[A];第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集[C];2007年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	吴丽娟;电荷型高压SOI器件模型与新结构[D];电子科技大学;2011年
2	胡盛东;SOI横向高压器件纵向耐压理论与新结构[D];电子科技大学;2010年
3	肖志强;SOI器件电离总剂量辐射特性研究[D];电子科技大学;2011年
4	谢海情;SOI基透明电极压控横向PIN光电二极管的研究[D];湖南大学;2011年
5	戴强;基于SOI的电容式微加速度计器件物理模型与实验研究[D];电子科技大学;2010年
6	陶青;基于SOI波导非线性效应的光脉冲开关设计及分析[D];华中科技大学;2011年
7	金波;SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2005年
8	郭宇锋;SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究[D];电子科技大学;2005年
9	孙佳胤;GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2007年
10	贾晓玲;SOI-MMI光波导器件与光开关研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2005年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	李信;应变SOI材料物理与工艺技术研究[D];西安电子科技大学;2010年
2	袁泉;基于自隔离技术的可集成SOI高压（＞600V）器件研究[D];电子科技大学;2009年
3	王琳;机械致单轴应变SOI研究[D];西安电子科技大学;2012年
4	闫斌;复合埋层SOI高压器件的数值仿真与实验研究[D];电子科技大学;2009年
5	杨寿国;新型SOI LDMOS高压器件研究[D];电子科技大学;2007年
6	陈浩;基于SOI的电容式微加速度计的建模及系统级仿真分析[D];电子科技大学;2011年
7	杨帆;400V薄层SOI高压器件研究[D];电子科技大学;2010年
8	黄玮;纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究[D];江南大学;2011年
9	李逢祥;SOI制备中氧离子注入缺陷的控制与研究[D];复旦大学;2011年
10	魏雪观;SOI横向超结器件耐压理论研究[D];南京邮电大学;2012年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	罗海基供;SOI片需求大幅增长[N];中国有色金属报;2002年
2	丽秋;上海新傲成功开发SOI[N];电子资讯时报;2002年
3	张晓明江洪渭;农行湖南分行二级分行全部上线新版SOI[N];中国城乡金融报;2009年
4	本报记者王春　实习生刘虹;“顶天立地”做科研[N];科技日报;2011年
5	本报记者赵艳秋;硅材料行业：如何托起“中国硅谷”[N];中国电子报;2002年
6	邓志杰;全球SOI晶片需求量快速增长[N];中国电子报;2001年
7	少升;日本礼服市场需求趋增[N];中国纺织报;2000年
8	记者师啸通讯员于承海;推倒围墙走向市场[N];中国石油报;2002年
9	;欧洲的MEMS工业[N];中国电子报;2002年
10	;中国太阳能巨头不怕WTO[N];内蒙古日报(汉);2001年

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