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一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构

郭宇锋  蹇彤  徐跃  王志功  
【摘要】:本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI结构,并借助理论分析和二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击穿电压5~10%的同时,漂移区电阻大幅度降低48~52%,而且漂移区尺寸也可缩小10%。进一步研究表明,采用一阶或二阶阶梯漂移区即可达到接近线性漂移区的效果,同时具有工艺容差大、制造时无高温过程、工艺成本低等优点。

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