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一种用于电力电子领域的新型功率器件:氮化镓高电子迁移率晶体管

张乃千  任勉  李震  
【摘要】:随着电力电子技术的进步,高效率、高功率密度、高可靠性成为电力电子产品的发展方向。基于硅(Si)材料的电力电子器件很难同时满足电力电子产品对效率、体积、温度的要求。氮化镓(GaN)凭借其优异的材料物理特性,结合日益发展的GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)器件设计与工艺技术,使得制造更低导通电阻、更高开关速度和高温运行这三者兼顾的功率器件成为可能,GaN HEMT的推广应用能够在节能、降低系统成本方面显著的提高电力电子产品的竞争力。

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