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强流RFQ加速器注入器的研究进展

彭士香  张萌  赵捷  徐蓉  任海涛  吕鹏南  宋执中  于金祥  袁忠喜  郭之虞  
【摘要】:用于中子照相的2MeV RFQ加速器要求注入器提供50mA@50keV的脉冲D+离子束,束流占空比为1/10,发射度0.2π.mm.mrad,α=1.93,β=5.16cm/rad。为实现注入器的优化设计,我们建设了用于研究2.45GHz的永磁微波离子源特性的离子源实验台(短台)和用于研究束流输运的低能束流输运线(LEBT)实验台(长台)。两个实验台均具备束流测量、发射度研究和离子比分析等功能。除此之外,LEBT还可以研究束流输运效率。当微波功率小于450W时,微波源引出氢离子流的总流强大于80mA,质子比好于90%。束流的归一化均方根发射度约为0.2~0.3π.mm.mrad。利用该台还研究了源室的尺度和放电室内衬材料对放电的影响,为源体的优化提供了依据。LEBT实验台使用了一个半包围结构螺线管磁透镜,束流传输效率大于80%。

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