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SiC MPS的分析设计和研制

张玉明  牛新军  张义门  
【摘要】:本文介绍了具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器-混合PiN/Schottky二极管(MPS)。理论分析了该器件的正向导通、反向阻断和击穿特性.以4H SiC材料为例模拟和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和PN结网格宽度、PN结深度和掺杂浓度等主要的结构参数。成功的制作了以Ni做肖特基金属,拥有JTE终端的4H-SiCMPS二极管,器件的击穿电压在600V-700V之间,约为平行平板结理论值的70%,反向漏电流在-600V时小于10-6 A/cm2,而正向电流密度在3.5V时达1000A/cm2。

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