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碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题

陈治明  
【摘要】:正 1 引言借助于微电子技术的长足发展,以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管(功率MOS)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。目前,这些器件的开关性能已随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限,依靠硅器件继续完善和提高电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。于是,依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能的更高要求,早在世纪交替之前就在电力电子学界与技术界形成共识,对碳化硅电力电子器件的研究与开发也随之形成热点。

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