SiC肖特基二极管的特性研究

【摘要】：通过氧化-刻蚀-沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃以下.本文在100℃以下制备了比接触电阻Pc=5-8×10-2Ω.cm2的欧姆接触和理想因子n=1.20-1.25的SiC肖特基二极管。与欧姆接触采用950℃高温合金制各的P型6H-SiC肖特基二极管(B类样品)比较表明,后者较大的串联电阻大大地影响其电学特性。

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前20条

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2	吴甲奇;李文佳;席曦;王振交;季静佳;顾晓峰;李果华;;光强对有机小分子太阳电池光伏性能的影响[J];半导体技术;2011年07期
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中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	罗小蓉;张波;李肇基;;SiC肖特基二极管的特性研究[A];展望新世纪——’02学术年会论文集[C];2002年
2	罗小蓉;张波;李肇基;;SiC肖特基二极管的特性研究[A];中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集[C];2002年
3	黄森;沈波;王茂俊;许福军;王彦;杨海燕;林芳;秦志新;杨志坚;张国义;;Au/Ni/GaN肖特基二极管的高温电流输运机制研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
4	甘宝霞;陈银华;;负电性尘埃等离子体中尘埃空穴的稳态结构[A];第十三届全国等离子体科学技术会议论文集[C];2007年
5	胡祖权;郑聚高;彭海鸥;黄凤;时桂芬;陈银华;;含负离子的尘埃空洞的形成[A];第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集[C];2009年
6	陈刚;陈雪兰;柏松;李哲洋;韩平;;4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
7	姚本先;王东华;王道阳;;大学生理想的现状与特点[A];中国社会心理学会2008年全国学术大会论文摘要集[C];2008年
8	薛俊俊;赵红;陈敦军;谢自力;张荣;郑有炓;;In_(0.2)Ga_(0.8)N化合物肖特基太阳电池[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
9	傅立斌;刘杰;陈式刚;;强激光场中氦原子电离行为[A];中国工程物理研究院科技年报（2000）[C];2000年
10	石春花;安伟科;邱锡钧;李儒新;;μ-子催化核聚变中强脉冲激光对介原子μ~3He的电离[A];2004年全国强场激光物理会议论文集（二）[C];2004年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

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2	陈黎明;超短脉冲激光与物质相互作用中电子行为的研究[D];中国工程物理研究院北京研究生部;2000年
3	沈海平;大功率LED可靠性预测机制研究[D];浙江大学;2008年
4	石春花;强脉冲激光与原子、分子电离及二态量子系统相干控制机理的理论研究[D];上海大学;2008年
5	王守国;离子注入制备4H-SiC器件及其温度特性研究[D];西安电子科技大学;2004年
6	甘宝霞;电负性尘埃等离子体中尘埃颗粒的振荡、晶格波和稳态尘埃空洞[D];中国科学技术大学;2008年
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8	江超;高气压辉光放电理论与实验[D];华中科技大学;2006年
9	杨晶;指数4情形下高斯和的决定[D];清华大学;2006年
10	吕少波;PVD和CVD过程中等离子体物理特性混合模拟及实验研究[D];东北大学;2010年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	罗小蓉;6H-SiC肖特基二极管的特性研究[D];四川大学;2001年
2	于志伟;GaN基Ni/Au肖特基接触模拟和实验研究[D];电子科技大学;2009年
3	邬瑞彬;n型6H-SiC金半接触及相关工艺研究[D];四川大学;2003年
4	刘卫华;Si衬底GaN基蓝光LED器件性能研究[D];南昌大学;2005年
5	房硕;低温插入层GaN基绿光LED及SiC衬底GaN基LED理想因子的研究[D];大连理工大学;2012年
6	刘杰;GaN基Ni/Au肖特基接触特性研究[D];西安电子科技大学;2007年
7	郑迪;强场中氢原子高次谐波理论的研究[D];长春理工大学;2009年
8	李德高;大功率LED可靠性快速筛选技术的研究[D];浙江工业大学;2009年
9	朱红玉;啁啾脉冲辐照下始于原子迭加态的高次谐波发射[D];吉林大学;2007年
10	宋建博;高性能AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的研究[D];河北工业大学;2007年

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