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SiC肖特基二极管的特性研究

罗小蓉  张波  李肇基  
【摘要】:通过氧化-刻蚀-沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃以下.本文在100℃以下制备了比接触电阻Pc=5-8×10-2Ω.cm2的欧姆接触和理想因子n=1.20-1.25的SiC肖特基二极管。与欧姆接触采用950℃高温合金制各的P型6H-SiC肖特基二极管(B类样品)比较表明,后者较大的串联电阻大大地影响其电学特性。

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