通过BN片打开石墨烯能隙以及石墨炔的准粒子能级和激子效应

【摘要】：正双层石墨烯被电场打开的能隙小(最大0.25eV),制备出的FET开关比远小于石墨带的106。需要打开到0.4eV以上才能有达到实际需要的开关比。理论上预言单层石墨烯被放置在BN衬底上可以被打开0.053eV小能隙。原因在于BN可以破坏单层石墨烯

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