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Al2O3钝化层对GHO高k栅介质薄膜的电学性能影响研究

郭亿文  熊玉华  杜军  
【摘要】:正本文主要研究了Al2O3钝化层对GHO(氧化钆掺杂氧化铪)高K栅介质薄膜的电学性能影响。在本研究中,用磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上生长GHO/Si和GHO/Al2O3/Si两种结构的薄膜,研究了中间钝化层对薄膜漏电流和电容特性的影响。

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