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In_(2-2x)Tb_xZn_xO_3陶瓷的制备及高温热电性能

刘勇  林元华  成波  
【摘要】:正利用放电等离子SPS烧结工艺制备得到In2-2xTbxZnxO3纳米晶陶瓷材料。通过研究材料的微观结构,发现SPS低温烧结的In2O3基陶瓷材料的晶粒尺寸为100~300nm。样品In2-2xTbxZnxO3在测试温度范围内最高电导率为~200Sm-1,而热电势高温

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