V掺杂对CrSi_2热电性能的影响
【摘要】:正以高纯度Si粉和Cr粉为原料,在真空炉中(氩气保护)、1000℃条件下烧结8小时;将合成物粉碎,再将其在30MPa条件下,温度1000℃,热压烧结1小时,最后得到CrSi2。通过不同量的V掺杂来改善CrSi2的热电性能,用X射线衍射仪和SEM对其组成和
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