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In掺杂GaN纳米线的制备及其光学性能研究

刘海瑞  赵丹  贾虎生  梁建  赵君芙  许并社  
【摘要】:采用常压化学气相沉积法(APCVD)方法,分别以金属Ga,In和NH3为镓源,铟源和氮源,在喷Au的Si衬底上成功合成了In掺杂GaN纳米线。通过改变反应温度,NH3流量,In的含量等条件,得到了不同形貌的In掺杂GaN纳米线。利用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM),X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)和光致发光谱(PL)分析了不同反应条件对In掺杂GaN纳米线的形貌,晶体结构以及发光特性的影响。分析结果表明:随着In掺杂量的增加,GaN纳米线的形貌发生了很大的改变,但晶体结构仍为六方纤锌矿结构,PL分析结果显示随着In含量和反应温度的增加,发光谱的强度增加。

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