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Zn掺杂之字形GaN纳米管的制备及性能表征

王晓宁  梁建  赵君芙  张华  马淑芳  许并社  
【摘要】:分别以氧化镓、氧化锌和氨气作为镓源、锌源和氮源,通过化学气相沉积法在喷金的Si(100)衬底上生长Zn掺杂之字形GaN纳米管。以场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、光致发光仪(PL)等测试方法对其成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征。通过探索反应物的质量配比及气体流量等实验条件对产物的物相和形貌的影响规律,得到制备Zn掺杂之字形GaN纳米管的最佳工艺参数为:反应物氧化镓、氧化锌的质量比为1:8,氨气和氩气的流量分别为30sccm和15sccm,反应温度1000℃。此外,通过分析对Zn掺杂之字形GaN纳米管的形成过程作了初步探讨。

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