锗硅低维结构的带间吸收边的研究
【摘要】：本文利用光电流谱的方法对锗硅低维量子结构的带间吸收边进行了研究。在实验上我们观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅低维量子结构的带间吸收边的谱线发生了有规律的变化。通过对锗硅量子点和量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合,得到了硅导带到锗价带的能带宽度分别为1．043 eV和 1．050 eV。随着外加电场的增强,带边的吸收曲线向低能方向移动。通过理论计算得到了带间跃迁吸收边的漂移量与外加电场的关系,并与实验吻合较好。随着温度的降低,带间吸收边向高能方向偏移,对于这一现象我们给出了定性的解释, 并通过拟合得到了禁带宽度随温度的变化率。
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