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硅衬底上氧化锌纳米线的自组装生长及其光致发光性能

贺英  桑文斌  王均安  吴若峰  
【摘要】:正以高分子材料作为自组装络合载体,采用离子络合转换方法和聚合物碳骨架网络限域模型,制备出垂直生长在硅(111)和(100)衬底上的一维(1D)[0001]取向的ZnO纳米线晶体,对ZnO纳米线结构和光致发光性能进行了分析表征,并对控制ZnO纳米线生长的因素进行了讨论。纳米线生长过程为:高分子链中均匀分布的极性基团与半导体金属盐中的Zn2+离子发生络合反应,通过化学转换和热分解过程涂布于硅(111)或(100)衬底表面的Zn2+离子转化为ZnO纳米量子点,然后在氧气氛中进一步结晶生长为量

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