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SiC/AlN复相陶瓷的微结构及介电性能的研究

石晓梅  向长淑  潘裕柏  郭景坤  
【摘要】:SiC是一种重要的结构材料之一,它具有好的耐磨性能和高温抗氧化性能。同时SiC又是一种本征半导体材料。SiC和AIN原位复合形成固熔体,具有良好的力学性能,而本试验的目的是为了研究AIN的加入以及退火温度对SiC陶瓷的微结构以及介电性能和电导率的影响。其中AIN的添加量为14vol%。原始粉体SiC和AlN的颗粒平均粒径分别为0.6μm和1.06μm,加入一定量的Y2O3作为烧结助剂。热压烧结制备SiC/AlN多相陶瓷,烧结工艺:1950℃,30MPa,Ar气氛,6h。样品分别在1100℃、1300℃、1500℃、1600℃空气气氛下退火10h。用X射线衍射(XRD)研究烧结前后的相组成,场发射扫描电镜(FESEM)观察样品的断口形貌,透射电镜(TEM)结合能谱(EDS)研究烧结样品的界面结构以及微观形貌,HP4291B阻抗仪测量样品的介电性能。

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