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具有量子效应的多空硅片的热电性能

徐桂英  
【摘要】:通常认为硅材料具有极高的热导率和低的电导率,因此不适合或不可能成为有前途的热电材料。本文以作者提出的实心-空心量子结合效应的热电模型为依据,以单品硅片为原料,首先采用化学腐蚀的方法制备出纳-微米多孔硅,其次采用物理气相沉积的方法在该多孔硅上沉积一层400-800nm的InSb,经过热处理工艺后,再进行化学腐蚀,通过控制化学腐蚀的工艺参数获得具有量子结构InSb的纳-微米多孔硅热电材料。其热电性能研究测试结果表明其热电性能已接近或达到实用化热电材料的要求。其意义在于该成果可直接应用于目前大规模集成电路乃至CPU的半导体热电致冷,而且由于其特殊的高温热电性能还可将其应用于高温热电发电。

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