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碳纳米管阴极场发射特性研究

刘兴辉  朱长纯  李玉魁  
【摘要】:制备了碳纳米管阴极,测试表明具有良好的场发射性能;建立了碳纳米管场发射的理论模型,将组成阵列的碳纳米管(CNTs)的半径看成是符合高斯分布,将单根的CNTs看成是准一维的,求出了CNTs的发射电流与阳极电压之间的关系,分析了CNTs的拓扑结构对发射特性的影响,在此基础上计算了碳纳米管阵列的发射特性;理论计算的结果同实验测试的结果符合得较好。

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