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蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究

孙艳玲  孙国胜  刘肃  王雷  赵万顺  罗木昌  曾一平  林兰英  
【摘要】:本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性。采用原位硼烷(B_2H_6)掺杂技术在蓝宝石(0001)衬底上用LPCVD方法生长p-3C-SiC外延膜。Hall测量其载流子浓度分别为P=1.33×10~(17)cm~(-3)和P=4.52×10~(16)cm~(-3)。将制得的样品分别在450℃,600℃和710℃下退火。用TLM方法测量其特征电阻,测得Al/p-3C-SiC欧姆接触在710℃退火之后的特征电阻率为ρ_c=0.02Ω·cm~2(P=1.33×10~(17)cm~(-3),同样测得AuGeNi/p-3C-SiC的特征电阻率为ρ_c=0.035Ω·cm~2(P=4.52×10~(16)cm~(-3)。

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