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Ga,B元素的分凝特性与负阻效应

修显武  裴素华  孙海波  
【摘要】:Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对Ga,B元素在SiO_2-Si界面中的分凝特性进行研究,发现负阻效应的存在及其大小与P型杂质的分凝特性有关,并找到了改善器件负阻效应的有效措施。

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