掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究
【摘要】：本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X射线,紫外可见光吸收和电阻的测量结果,显示薄膜为纳米级颗粒组成,掺锡前后基本结构不变;掺锡后紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰显著下降,且三个峰位都有微小红移;电阻随温度增加而呈指数衰减,呈半导体型,霍尔效应证实为N型半导体。
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