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Al金属诱导氢化非晶硅(a-Si:H)晶化的研究

王瑞春  沈鸽  袁骏  张溪文  赵高凌  翁文剑  韩高荣  杜丕一  
【摘要】:采用PVD与阿PECVD方法在经特殊设计的单反应室内制取了Al/α-Si:H双层复合薄膜,并利用XRD和XPS对薄膜在不同温度退火后对其晶化行为进行了研究。结果表明,由于金属Al的诱导作用使α-Si:H在不高于250℃下开始晶化。

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