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GaN纳米管材料电学性质的预测与设计

张刚  顾秉林  
【摘要】:在本文中,我们利用紧束缚方法研究了GaN纳米管的电子结构。发现armchair型GaN纳米管的能隙为3个电子伏,这正是制备蓝光纳米激光器的理想能隙,且其能隙不随管径变化,这就表明了armchair型GaN纳米管在应用上有着很好的前景。

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