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类金刚石薄膜/HgCdTe晶体界面应力的有限元分析

居建华  夏义本  张伟丽  余璐  王林军  史为民  
【摘要】:采用有限元分析方法,通过改变薄膜的厚度、沉积温度以及加载与否,研究了类金刚石薄膜与碲镉汞衬底界面处应力分布。结果表明:当薄膜杨氏模量大于基底杨氏模量时,界面处薄膜von mises应力随薄膜厚度的增加而减少;DLC膜的应力主要集中在薄膜与基体的界面处,并且随着膜厚的增加,界面边缘处vonmises应力逐渐减小,而界面的中间的应力则逐渐增加;而且这种von mises应力随薄膜沉积温度升高而上升;加上外力后,应力集中于所加的外力区域,当应力大于薄膜的断裂强度时,薄膜发生破裂。

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