氮化硅X射线光刻掩膜

【摘要】：本文报道了采用LPCVD方法制备用于X射线光刻掩膜的富硅型SiN_x薄膜。根据SiN_x的成膜率和应力测试结果并结合透射电镜观测结果,分析了富硅型SiN_x薄膜的微观结构及其膜内应力之间的相互影响,并在薄膜内部发现存在一种纳米级取向的微观结构,即在本文所述条件下生长的薄膜为镶嵌型复合膜,该微观结构存在部分晶化,主要成分为硅,尺寸分布视生长条件不同从十数纳米到上百纳米不等,对薄膜的内应力及相关力学性能有很大的影响。

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前20条

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3	张瑞英,董杰,周帆,李国华,边静,冯志伟,王圩;窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究[J];中国激光;2002年09期
4	;学术动态[J];压电与声光;1979年06期
5	L.W.Stulz,王大春;扩散钛的LiNbO_3光波导的制作[J];压电与声光;1980年01期
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7	徐晨;王宝强;刘英明;解意洋;沈光地;;掩膜对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响[J];纳米技术与精密工程;2011年03期
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9	阳建华,张帅,陈继民;高功率紫外激光切割铜薄膜的实验研究[J];应用激光;2005年05期
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11	Anders sterberg;Steffen Schulze;;OPC将掩膜光刻机扩展到65/45纳米[J];集成电路应用;2008年04期
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13	吴桂英;IBM公司1980—1992年X射线光刻的发展[J];光机电信息;1994年12期
14	赵保军;王英;张亚非;;几种纳米加工技术的原理、特点及其应用[J];纳米科技;2007年03期
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19	顾柏春;集成电路中的物理问题讲座——第九讲光电子与俄歇电子在X射线光刻中的影响[J];物理;1985年11期
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3	胡淑芬;;LPCVD in-situ Growth of Silicon Quantum Dots in Si_3N_4[A];中国颗粒学会第七届学术年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会论文集[C];2010年
4	袁媛;耿学文;李美成;;LPCVD制备微晶硅薄膜及热处理工艺研究[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（上册）[C];2009年
5	;改进文件处理手段提高掩膜生产效率和成品率——中国电子科技集团公司第二十九研究所“超越者”队QC小组[A];2004年度电子工业优秀质量管理小组成果质量信得过班组经验专集[C];2004年
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中国博士学位论文全文数据库

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2	晏长岭;垂直腔面发射激光器的研制及其特性分析[D];中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;2000年
3	孔祥东;电子束液态曝光技术的研究[D];山东大学;2005年
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中国硕士学位论文全文数据库

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2	李海亮;自支撑X射线透射光栅的制备及测试[D];北京工业大学;2010年
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4	耿康;多层介质膜光栅掩膜形貌特性的研究[D];苏州大学;2004年
5	简红彬;a-Si_（1-x）C_x：H薄膜的热壁LPCVD制备与结构特性研究[D];河北大学;2006年
6	刘磊;横向外延技术的理论分析与两步生长法的实验研究[D];北京邮电大学;2007年
7	刘婷婷;基于多孔硅的三维PN结结构探索[D];华东师范大学;2008年
8	郑毅;Nd:KGW脉冲固体激光器电源及控制系统研究[D];吉林大学;2004年
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中国重要报纸全文数据库

前10条

1	李睿;友达光电采用3片掩膜试制出1.8英寸液晶面板[N];电子资讯时报;2008年
2	广西八戒;从Prescott谈CPU背后的生产技术[N];电脑报;2004年
3	mcu;瑞萨16位非接触智能卡MCU AE41R[N];电子报;2007年
4	美国环球仪器公司中国/香港总经理李林炎;PCB及设备对CSP的影响[N];中国电子报;2000年
5	;未来几年的关键技术[N];中国计算机报;2001年
6	;芯片制造工艺[N];中国计算机报;2001年
7	穆强赵艳秋编译;下一代光刻技术的烦恼[N];中国电子报;2002年
8	沈晓光编译;半导体制造设备行业引进尖端技术提高生产效率[N];中国电子报;2008年
9	文月;中芯国际去年亏损减一成[N];电子资讯时报;2008年
10	何小明;嵌入式DRAM技术开发与应用[N];中国电子报;2002年

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