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氮化硅X射线光刻掩膜

陈大鹏  叶甜春  谢常青  李兵  赵玲利  韩敬东  胥兴才  胥俊红  陈昭辉  
【摘要】:本文报道了采用LPCVD方法制备用于X射线光刻掩膜的富硅型SiN_x薄膜。根据SiN_x的成膜率和应力测试结果并结合透射电镜观测结果,分析了富硅型SiN_x薄膜的微观结构及其膜内应力之间的相互影响,并在薄膜内部发现存在一种纳米级取向的微观结构,即在本文所述条件下生长的薄膜为镶嵌型复合膜,该微观结构存在部分晶化,主要成分为硅,尺寸分布视生长条件不同从十数纳米到上百纳米不等,对薄膜的内应力及相关力学性能有很大的影响。

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