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InGaN薄膜生长缺陷对发光性能的影响

李未  王岩国  韩培德  张泽  
【摘要】:对采用传统的两步金属有机化学气相沉积法在α-Al_2O_3衬底上获得的AlGaN/InGaN/GaN双异质结发光二极管外延片的显微结构进行了研究。TEM观察显示它的生长质量与衬底材料和生长条件有关。生长过程中产生的空位集聚在二极管外延片中形成平均直径约为100纳米的空洞,并直接导致二极管外延片的发光失效。

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