【摘要】:正 GaN由于其是宽直接带系(其三元合金GaAIN,GaInN的能隙1.9~6.2eV)发光材料,是近年国际上的研究热点,尽管已有商用GaN蓝光发光二极管投入生产,但其激光二极管(LD)尚在研究开发当中。问题在于用六方GaN(h-GaN)基材料刻蚀与磨制平行的激光谐振腔面的加工成本高,成品率低,而制备蓝光LD的理想材料——立方GaN(c-GaN)是GaN的亚稳相,又由于没有与其匹配的衬底,在高温下异质外延c-GaN时极易混入h-GaN,故很难获得高结晶品质的c-GaN单晶薄膜,这就成了当前半导体材料领域有待攻克的一个难
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于海群;左然;陈景升;;一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟[J];人工晶体学报;2011年04期 |
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