【摘要】:利用自助熔剂法将MgO粒子埋入Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)(Bi2212)单晶基体中。电磁测量的结果表明:与未掺杂的单晶样品相比,适量MgO粒子掺杂的Bi2212晶体在温度低于20K时的磁通钉扎能力显著提高;而当温度高于25K时,MgO粒子掺杂的Bi2212晶体没有显示额外的磁通钉扎能力。显微结构分析揭示MgO粒子掺杂在Bi2212基体的ab面内诱生大量的位错,这可能是MgO粒子掺杂Bi2212晶体低温时显示强钉扎能力的原因。
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