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Study of Time Characteristics in Ge/Si Hetero-nanocrystal MOSFET Memory

【摘要】:正 The electron storage characteristics of Ge/Si hetero-nanocrystal MOSFET memory have been simulated. Owing to the Ge/Si hetero-energy bands, the retention time increases several orders compared with Si nanocrystal memory, and the programming time achieves the order of liS. The trade-off between the high-speed programming and the long retention time could be solved efficiently with the Ge/Si heteronanocrystal structure, and the performance of the device is substantially improved.

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